陶瓷基片炉具有高稳定性、高人性化、低维护的特点,采用非接触式高温测量、真空系统过滤保护、独特尾气处理设计。主要用于氮化硅/氮化铝流延基片等先进材料进行真空,脱气、加压致密化等,广泛应用于航天航空、电子电器半导体等领域。
陶瓷基片炉具有高稳定性、高人性化、低维护的特点,采用非接触式高温测量、真空系统过滤保护、独特尾气处理设计。主要用于氮化硅/氮化铝流延基片等先进材料进行真空,脱气、加压致密化等,广泛应用于航天航空、电子电器半导体等领域。
陶瓷基片炉具有高稳定性、高人性化、低维护的特点,采用非接触式高温测量、真空系统过滤保护、独特尾气处理设计。主要用于氮化硅/氮化铝流延基片等先进材料进行真空,脱气、加压致密化等,广泛应用于航天航空、电子电器半导体等领域。
陶瓷基片炉具有高稳定性、高人性化、低维护的特点,采用非接触式高温测量、真空系统过滤保护、独特尾气处理设计。主要用于氮化硅/氮化铝流延基片等先进材料进行真空,脱气、加压致密化等,广泛应用于航天航空、电子电器半导体等领域。
装料空间(W*H*L) | 600*600*1400 |
温度均匀性 | ≤±4℃ |
最高工作温度 | 2200℃ |
最高工作压力 | 2MPa |